Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов
Данилов В.С., Раков Ю.Н.
В работе представлены фундаментальные понятия и уравнения физики твердого тела дан анализ работы биполярного транзистора в режимах большого и малого сигналов. Рассмотрены процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на GaAs, применяемых в СВЧ-диапазоне раскрыта электрофизика селективно легированных гетероструктурных транзисторов. Приведены новые отечественные и зарубежные разработки, проведено их сравнение по основным характеристикам. Пособие адресовано прежде всего магистрантам и аспирантам, уже знакомым с твердотельными устройствами.
Ano:
2014
Editora:
НГТУ
Idioma:
russian
Páginas:
418
ISBN:
9795778224063
Arquivo:
PDF, 42.90 MB
IPFS:
,
russian, 2014